「世界初！TSVを非破壊で可視化！」ウェビナー開催＜終了＞

「世界初！TSVを非破壊で可視化！」は終了いたしました。
多数のご視聴いただきまして、ありがとうございました。

* TSV : Through Si Via（シリコン貫通電極）

■日時：2022年12月 16日（金）　13:30～14:30　

■場所：オンラインでの開催　※MS-Teamsライブイベントでの開催予定

■定員：100名様まで

■参加費用：無料

■対象者：
　・最先端半導体プロセス関連業務に従事している方々
　・MEMS等、次世代技術最新テクノロジーにご興味のある方々
　※競合代理店、競合製品をお取り扱いの会社様のご参加はお断りさせていただく場合がございます。

■セミナー概要
日々進化を遂げるLSIの3次元プロセス技術開発において、TSV（Through Si Via：Si貫通電極）に代表される数μm径レベルで高アスペクト比の穴の内面・形状は、これまで非破壊では検出不可能であり、製造プロセス管理上の大きな課題となっております。
これら課題に対する解決策として、本Webinarでは、微細領域の段差測定技術において長らく技術を追求してきた㈱小坂研究所が、独自最新技術によるソリューション提案を行います。

 

■プログラム

13:30～14:00　第一部『測定再現性を追求！微細形状測定機 ETシリーズ ご紹介』

「微細形状測定機」の概要、基本原理 他の段差測定機と比べての優位性 どこが画期的か？開発のポイント、実際画像・実測データ その他、アプリケーション事例紹介

14:00～14:30　第二部 『非破壊で計測、定量化　微細穴三次元形状測定機 FP-LABOご紹介』

「微細穴三次元形状測定機」の概要、基本原理 他の観察測定方法と比べての優位性 どこが画期的か？開発のポイント、実際画像・実測データ どのような検査アプリケーションを想定しているか？

■発表者：株式会社小坂研究所　金坂 辰美 様

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